過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓
當VGS>VTH時，MOSFET表現為一個壓控電阻；但是，能讓MOSFET成為現在集成電路中的翹楚，肯定不是只是壓控電阻這么簡單呢
有機場效應晶體管（organic fieldeffect tran-sisbor，OFET）因具有以下幾個突出特點而受到研究人員的極大重視：材料來源廣、可與柔性襯底兼容、低溫加工、適合大批量生產和低成本等
